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一種微納間隙電極的制作方法本發(fā)明涉及電極制作，尤其是一種深亞微米到納米尺度的多結(jié)構(gòu)多圖形微納間隙電極的制作方法。納米粒子是指尺度在1～100nm的顆粒。研究表明納米材料的物理與化學(xué)性質(zhì)不同于宏觀的材料。金屬和半導(dǎo)體納米粒子因其在光、電、催化、化學(xué)傳感以及未來(lái)納米存儲(chǔ)器件等方...

制備膠體探針的方法及裝置本發(fā)明涉及探針的修飾與制備加工，是一種在高倍光學(xué)顯微鏡下于懸臂上粘結(jié)微顆粒以制備原子力顯微鏡力學(xué)傳感器即探針的方法及裝置。原子力顯微鏡是Binnig等人于1986年發(fā)明的。原子力顯微鏡能高分辨率探測(cè)原子與分子的形狀，確定物體表面的電、磁與機(jī)械性能，正...

掩模層三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移的MEMS體硅工藝方法本發(fā)明涉及一種掩模層三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移的MEMS體硅工藝方法，尤其涉及一種需要進(jìn)行多次深槽結(jié)構(gòu)加工的MEMS體硅工藝方法，主要應(yīng)用于各種MEMS器件的研制及生產(chǎn)加工。MEMS技術(shù)是現(xiàn)代化國(guó)防和未來(lái)高技術(shù)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，其發(fā)展將導(dǎo)致武器裝備、以及社會(huì)...

?基于單個(gè)雙穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)及其外特性的多穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法本發(fā)明屬于柔性機(jī)構(gòu)領(lǐng)域，涉及一種基于單個(gè)雙穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)及其外特性的多穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法，具有能耗小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)低、裝配成本低等特點(diǎn)，可被用于開(kāi)關(guān)、閥門、繼電器等產(chǎn)品中。自適應(yīng)系統(tǒng)及其他一些領(lǐng)域常用到具有多個(gè)穩(wěn)定位置的多穩(wěn)態(tài)機(jī)構(gòu)。傳統(tǒng)的...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems壓電系統(tǒng)、mems壓電器件及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?systems，mems）壓電懸臂梁作為mems壓電器件和系統(tǒng)中關(guān)鍵的基本結(jié)構(gòu)，可以用于開(kāi)關(guān)、諧振器、傳感器等。從結(jié)構(gòu)上看，請(qǐng)參照?qǐng)D，mems...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems壓電器件及其制備方法、mems壓電系統(tǒng)及其多軸檢測(cè)方法。、包括壓電微機(jī)電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?systems,?mems）懸臂梁、壓電mems簡(jiǎn)支梁在內(nèi)的各種梁結(jié)構(gòu)和各種形狀的壓電mems膜結(jié)構(gòu)是各種mems傳感...

本公開(kāi)總體涉及微機(jī)電系統(tǒng)(mems)及其制造方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(“mems”)包括通過(guò)一種或多種半導(dǎo)體制造工藝形成的機(jī)械特征和電特征。mems器件的示例包括：微傳感器，其將機(jī)械信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)；微致動(dòng)器，其將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為機(jī)械信號(hào)；以及運(yùn)動(dòng)傳感器。對(duì)于許多應(yīng)用而言，mems器件電連接到專用集...

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems，mems)芯片是一種將微型機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感器、執(zhí)行器、電子電路等集成在半導(dǎo)體材料上的微型系統(tǒng)。mems芯片在制造過(guò)程中常用到多種工藝技術(shù)，包括：...

本發(fā)明涉及紅外，特指一種基于cmos制造工藝的紅外光源及其制造方法。、基于光譜吸收原理的非色散紅外（ndir）氣體傳感器主要由紅外光源、氣室、濾光片和紅外光探測(cè)器四部分組成。其中，紅外光源是決定ndir集成氣體傳感器性能的關(guān)鍵部件之一，直接決定了傳感器的尺寸、功耗和檢測(cè)性能。傳統(tǒng)紅外光源（...

本發(fā)明涉及一種漏斗形梳齒及mems加速度計(jì)，屬于mems電容式傳感器。、mems(micro-electric?mechanical?systems)是微電子機(jī)械系統(tǒng)的簡(jiǎn)稱，它是指在集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用微加工技術(shù)將機(jī)械元件和電子元件融合于一體的微型集成技術(shù)。mems器件主要分為微傳感...

本申請(qǐng)屬于傳感器，具體涉及一種mems芯片及其制作方法和電子設(shè)備。、電容式壓力傳感器因具有較小的溫度系數(shù)，高精度，較好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，在mems(micro-electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng))壓力傳感器領(lǐng)域逐漸成為主流芯片實(shí)現(xiàn)形式之一。電容式壓力傳感器一般...

本發(fā)明專利涉及超材料，尤其涉及懸空微加工器件電路制備方法。、超材料是指一些具有天然材料所不具備的超常物理性質(zhì)的人工復(fù)合結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，超材料的性質(zhì)往往取決于內(nèi)部的人工結(jié)構(gòu)，而非構(gòu)成材料的本征性質(zhì)。因其獨(dú)特的性質(zhì)，超材料已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于光電通信、柔性可穿戴設(shè)備、醫(yī)療生物等領(lǐng)域當(dāng)中。目前對(duì)于超...

本發(fā)明屬于mems探針制備，具體涉及一種尾部鍍金的mems探針及其制備方法，更具體涉及一種在mems探針針尾鍍金及探針底部側(cè)壁鍍金的方法以及由此方法制備得到的尾部鍍金的mems探針。、隨著社會(huì)和科技的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品的覆蓋率越來(lái)越高，芯片的需求也越來(lái)越大，對(duì)芯片測(cè)試的要求也越來(lái)越高。me...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems壓阻式壓力傳感器的制備方法。、mems（微電子機(jī)械系統(tǒng)）技術(shù)在近年來(lái)得到了廣泛的應(yīng)用，其在傳感器、執(zhí)行器以及微系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力和優(yōu)勢(shì)。硅基mems壓力傳感器作為mems傳感器的一個(gè)重要分支，由于其具有體積小、精度高、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好等優(yōu)...

本發(fā)明涉及mems（微機(jī)電系統(tǒng)）結(jié)構(gòu)（如微鏡）在其操作期間的傾斜位置感測(cè)。、mems（微機(jī)電系統(tǒng)）反射鏡和反射鏡陣列在各種模塊中的光纖網(wǎng)絡(luò)內(nèi)具有廣泛的應(yīng)用，如光開(kāi)關(guān)、光衰減器、光可調(diào)濾波器等。、此外，mems掃描鏡在微型投影儀、hud（抬頭顯示）、ar/vr等模塊中提供關(guān)鍵的光掃描功能。m...

本技術(shù)涉及微納光學(xué)，具體涉及一種具有納米孔結(jié)構(gòu)的微錐硅陣列。、高光學(xué)吸收性能的材料與一般材料相比，反射率較低，能夠有效減少雜散光，實(shí)現(xiàn)高效的光吸收和光轉(zhuǎn)換，最終提高光學(xué)設(shè)備、光電器件等的性能。因此，該類材料在精密光學(xué)儀器、光電傳感器、太陽(yáng)能電池、光催化等領(lǐng)域具有重要的科學(xué)意義和廣泛的應(yīng)用前...

本發(fā)明涉及電子設(shè)備封裝，更為具體地，涉及一種三層板封裝結(jié)構(gòu)。、封裝結(jié)構(gòu)是指用于對(duì)半導(dǎo)體集成電路芯片及其基板電路進(jìn)行封裝的結(jié)構(gòu)，一方面可以使芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降；另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸，能夠起到安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電...

本申請(qǐng)屬于封裝，具體地，本申請(qǐng)涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法和電子設(shè)備。、mems麥克風(fēng)憑借其性能穩(wěn)定的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。但隨著電子設(shè)備不斷向輕薄化和小型化發(fā)展，對(duì)mems麥克風(fēng)的尺寸也提出了更為嚴(yán)苛的要求。、相關(guān)技術(shù)中，常規(guī)的mems麥克風(fēng)在基板上集成多個(gè)芯片以實(shí)現(xiàn)其...

本發(fā)明涉及傳感器，具體涉及一種cu-ga-cu可自主愈合電極的制備工藝。、當(dāng)前自愈合材料在智能響應(yīng)電極和各種軟壓力傳感器等柔性電子領(lǐng)域有著越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，但一些常見(jiàn)的自愈合材料面臨著愈合過(guò)程操作復(fù)雜、愈合后性能損失嚴(yán)重以及受外界環(huán)境限制等諸多瓶頸，導(dǎo)致愈合速度緩慢和愈合性能缺失等問(wèn)題。液...

本公開(kāi)涉及用于半導(dǎo)體裝置的晶片蓋帽附接。、晶片級(jí)封裝為通常用于將電路和組件與封裝環(huán)境隔離的封裝技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，晶片級(jí)封裝可用于形成微機(jī)電系統(tǒng)(mems)或體聲波諧振器，例如包含傳感器、加速計(jì)、光學(xué)傳感器或微致動(dòng)器。作為實(shí)例，可實(shí)施晶片級(jí)封裝以將晶片蓋帽貼附到可形成在襯底上的mems或baw...